SK海力士披露了下一代高带宽内存（HBM）的研发路线图，公司计划于2026年下半年向核心客户（如NVIDIA、AMD）提供HBM4E样品，该产品将基于最新的1c nm（第六代10nm级）DRAM工艺制造。根据规划，HBM4E将在2027年进入大规模量产阶段，这一时间表的公布，显示了SK海力士在AI存储领域的雄心。相较于当前的HBM3E，HBM4E在带宽和能效上将有质的飞跃，旨在满足未来AI算力对内存带宽呈指数级增长的需求。
1c DRAM工艺的应用是HBM4E性能突破的关键。通过更先进的制程节点，SK海力士能够在单位面积内集成更多的存储单元，同时降低功耗。这对于数据中心和超级计算机来说至关重要，因为随着AI模型参数的爆炸式增长，内存带宽已成为制约算力发挥的最大瓶颈。SK海力士通过提前布局下一代技术，试图在激烈的HBM市场竞争中保持领先地位，继续作为全球AI芯片巨头的最核心供应商，巩固其在高端存储市场的霸主地位。
这一消息也对整个半导体产业链产生了深远影响。随着HBM4E的临近，封装测试、散热材料以及晶圆制造设备等相关产业都将迎来新的增长机遇。同时，这也将加剧SK海力士与三星、美光在先进制程和封装技术上的竞争。对于AI产业而言，更强大的HBM意味着更大、更复杂的模型可以被训练和部署，从而推动人工智能向更高层次的通用智能迈进，彻底改变人类社会的生产生活方式。
