据韩媒ETNEWS报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近日完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND（V8，236层堆叠）3D NAND闪存正式实现量产。西安晶圆厂是三星在韩国本土以外重要的半导体生产基地，长期致力于先进存储芯片研发与制造。本次制程升级工作自2024年启动，在原有V6（128层）NAND生产线基础上完成技术改造，全面提升产品性能、生产效率与产能竞争力，可更好满足人工智能时代高速增长的高性能存储设备需求。
本次量产的236层3D NAND闪存，相比上一代128层产品，堆叠层数提升84%，存储密度提升120%，读写速度提升40%，功耗降低30%，成本大幅下降，综合性能全面越级。技术突破背后，是三星十年磨一剑的技术积累。236层堆叠工艺攻克超高密度存储、垂直通道、电荷捕获、散热控制等多项世界级难题，采用全新蚀刻、沉积、封装技术，核心零部件100%自研，彻底摆脱海外技术依赖，进一步巩固三星在存储芯片领域的龙头地位。
在量产V8 NAND之后，三星西安晶圆厂的下一步目标是实现286层堆叠的V9 NAND。相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产，持续推动3D NAND闪存技术向更高堆叠、更高性能、更高效率方向发展。三星西安厂是韩国本土以外最大的NAND闪存生产基地，承担全球40%以上的3D NAND闪存产能。其V8 NAND的量产有望缓解全球存储芯片供应紧张局面，推动SSD、U盘、存储卡等下游产品价格逐步回落，惠及亿万消费者。
