近日，印度政府相关部门及产业机构披露，印度正推进先进半导体自主制造计划，力争在数年内构建从28纳米到2纳米制程的本土生产能力。该计划涵盖技术研发、产线建设与供应链培育等环节，旨在降低对进口芯片的依赖，并使印度在全球半导体制造版图中的定位进入更多国际从业者视野。
据消息称，印度电子信息与科技部牵头的“半导体使命”框架下，已通过生产挂钩激励计划（PLI）吸引多家国际与本土企业参与晶圆制造、封装测试等项目。当前，印度已有数座12英寸晶圆厂在建或规划，制程节点集中在28纳米及以上成熟工艺，主要面向汽车电子、工业控制与消费类芯片市场。消息称，印方目标是未来三至五年内在部分园区实现更精细制程突破，逐步推进至14纳米、7纳米乃至2纳米研发与小批量生产，并通过与全球设备、材料供应商及研发机构合作，补足设计工具、EDA软件与高端制程工艺的技术短板。现场观察显示，印度南部与西部部分邦已设立专项产业园区，配套电力、供水与洁净室建设同步进行，当地政府为企业提供土地租赁优惠与税收减免，以加快项目落地。业内人士分析，从28纳米迈向2纳米的跨度极大，涉及光刻、沉积、蚀刻等关键环节的设备引进与人才梯队培养，印度需在基础研究、工艺集成与良率提升上持续投入。与东南亚部分国家侧重成熟制程代工不同，印度的目标包含先进制程全链条布局，显示出其希望在汽车、通信与计算领域形成自有供应体系并参与国际竞争的意图。分析人士指出，该计划若顺利推进，可能促使全球半导体供应链在地理分布上形成新的支点，并为跨国芯片设计公司提供除东亚与北美外的又一制造选项，但也面临技术积累周期长、初期成本高与国际政治因素叠加的挑战。
印度力争数年内实现从28纳米到2纳米的先进半导体自主制造，凸显其在全球科技竞争背景下强化产业链安全的战略方向，也为观察新兴市场在高端制造领域跨越式发展的可能性提供样本。后续可关注印方与国际设备厂商的合作进展、本土人才培养与研发平台建设成效，以及首批先进制程试产线的良率与产能数据，以判断其能否在预定时间窗口内实现既定目标，并影响全球半导体产业在多极化布局上的调整节奏。
